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服務需求
標題
硅烷熱解法制區熔級多晶硅
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單位名稱
信陽技術交易市場
電話
19913769651
聯系人
信陽市科技成果轉化促進中心
電子郵件
xyscgzhzx@163.com
傳真
聯系地址
郵政編碼
464000
需求內容
需求內容及預期目標: 需要攻克硅烷CVD法制區熔級多晶硅技術難題,包括硅烷熱解爐及內件構造,提升產品質量、降低能耗等。希望公司擁有硅烷CVD法制區熔級多晶硅核心技術,具有硅烷CVD爐的設計、制作、運行能力。預期目標就是能夠穩定生產出區熔級多晶硅。 現有工作基礎(包括已開展的工作和已投入資金): 目前已建成年產100噸多晶硅生產線,生產運行一年半。已投入5000萬元。 主要的技術需求和預算: 1、 硅烷CVD爐的設計和制作技術 硅烷CVD法與國內普遍使用的改良西門子法不同,每根硅棒都有夾套,夾套大小、夾套與爐底盤的連接方式決定了后處理難易程度,也是決定產品質量和能耗高低的關鍵,是區熔級多晶硅生產中最關鍵設備。 2、 無定形硅的有效控制技術 硅烷性質比三氯氫硅活潑得多,易分解產生無定形硅,形成的固體硅就會以粉狀,一般30-80nm大小,充斥于整個CVD爐的空腔中,粘附在硅棒上,內件上和內壁上。粘附在硅棒上將引起晶格改變,產生應力。如果內件和內壁上的粘附塊二次粘附在硅棒上,就會引入金屬雜質,反而影響硅棒的質量。 3、 穩定、溫和控制硅棒生長技術 硅烷易分解,通常采用夾套冷卻,但是隨著硅棒生長,硅棒與夾套形成的環隙不斷縮小,氣體流動狀態發生改變,其中的傳熱傳質也隨之改變,相應的電流與電壓、硅烷流量、氫氣與硅烷濃度配比需不斷調整。鑒于硅烷生產多晶硅成本,需要成熟的一套或幾套硅烷流量及與氫氣配比和電流電壓隨反應時間變化的參數。 4、 硅棒后處理防污染技術 區熔級多晶硅除了生產工藝控制技術高,硅棒的后處理過程包括收割、搬運、包裝等過程的防污染控制依然是保證產品純度至關重要的一環。公司需要專業的多晶硅潔凈后處理防污染控制技術。 預計再投入6000萬元。
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